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Si4406DY
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
0.010
0.008
0.006
0.004
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
7000
5600
4200
2800
C iss
0.002
0.000
1400
0
C rss
C oss
0
10
20
30
40
50
0
6
12
18
24
30
6
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
1.8
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
5
4
3
2
1
0
V DS = 15 V
I D = 20 A
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
V GS = 10 V
I D = 20 A
0
10
20
30
40
50
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
50
10
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J = 150 °C
0.020
0.016
0.012
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
I D = 20 A
0.008
T J = 25 °C
0.004
1
0.000
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
Document Number: 71824
S09-0221-Rev. E, 09-Feb-09
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
www.vishay.com
3
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